Samsung започна серийно производство на модули памет LPDDR3 с обем 3 гигабайта (GB), предназначени за използване в смартфони от следващо поколение.
Модулите обединяват 6 чипа памет по 4 гигабита всеки, конфигурирани в два блока по три чипа. За връзка на LPDDR3 с мобилния процесор за приложения се използват два симетрични канала, всеки от които осигурява достъп до 1,5 гигабайта памет.
Новите модули ще се произвеждат по 20-нанометрова технология. Заявената скорост на предаване на данни достига 2133 Mbps на изход.
Появата на модулите LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) с обем 3 GB ще съкрати разликата между компютрите от начално ниво и смартфоните. Едно от първите мобилни устройства с 3 GB памет ще стане фаблетът Galaxy Note III с очакван дебют на IFA, Берлин през септември.
