Две технологични компании обединяват усилия в производството на памети от типа MRAM – енергийно-независима магниторезистивна памет с произволен достъп, която може да замени DRAM в близка перспектива.
Everspin Technologies, специализирана в MRAM паметите, сключи дългосрочно споразумение с производителя на полупроводникови продукти SilTerra. Целта е изграждане на допълнителни производствени мощности за памети Toggle MRAM.
Партньорството е част от тристранно споразумение между Everspin, SilTerra и Bosch Sensortec – лицензиант на интелектуална собственост на Everspin, свързана с датчици на тунелен магниторезистивен ефект (TMR).
Обединението идва в отговор на нарастващото търсене на памети Toggle MRAM в промишлеността, компютърната индустрия, медицината и транспортния отрасъл, където бързата и надеждна енергийно-независима памет е от критично значение.
Очаква се новото производство на MRAM памети да започне през 2020 г. Паралелно с него, Everspin ще продължи да използва производствената си линия в САЩ за памети Toggle MRAM и датчици TMR в рамките на споразумение с NXP,.
1 коментар
Каква е тази близка перспектива? От десет години е все такава. А то MRAM памети си има и сега, но не са все още с добри параметри (като съотношение физически обем:брой запаметени битове).