(снимка: CC0 Public Domain)
Изследователи от университета Ланкастър в Обединеното кралство са симулирали нова енергонезависима памет. Твърди се, че тя се нуждае от сто пъти по-малко енергия за запис и изтриване на информация, в сравнение с NAND или DRAM.
В същото време високата скорост на новата памет я прави подходяща алтернатива на оперативната DRAM памет в различни устройствата. Британските учени са нарекли своята разработка UK III-V, става ясно от публикация в Electronics Weekly.
Иновацията се базира на транзистор с нова структура, на основата на който е изградената клетка памет. За съхраняване на информация се използва плаващ гейт, но той не е изолиран със силициев оксид, както в съвременната памет, а от тунелен преход на границата между слоевете от различни полупроводникови материали: индиев арсенид и алуминиев антимонид. Структурата включва и слоеве от други материали.
За разлика от DRAM, съдържанието на UK III-V клетките памет не е необходимо да се презаписва периодично. Единственият въпрос, който засега няма отговор, е дълготрайността на новата памет.
Ако UK III-V издържа на голям брой презаписи, тя може да замени DRAM и NAND в компютрите и мобилните устройства на бъдещето – те ще се включват моментално и ще консумират значително по-малко енергия от сегашните устройства.
