UFS 4.0 памет за смартфони поддържа скорост до 4300 MB/s 

Производителят на памети Micron представи първите си устройства за съхранение UFS 4.0. Най-бързите модели от серията ще осигурят последователни скорости на четене до 4300 MB/s и скорости на запис до 4000 MB/s, което ги прави най-ефективните UFS модули памет до момента. 

Micron очаква UFS 4.0 устройства с ултра ниска мощност да се появят във водещите смартфони, таблети и лаптопи още през настоящата година. Гамата от нови UFS 4.0 флаш-дискове на Micron се предлага в три капацитета – 256GB, 512GB и 1TB. Всички те са оборудвани с контролери собствено производство на Micron. 

По-скъпите 512GB и 1TB продукти използват 1TB 232-слойна 3D TLC NAND флаш памет чипове с архитектура от шест масива, които осигуряват последователни скорости на четене и запис съответно до 4300 MB/s и 4000 MB/s. Устройството с 256 GB е малко по-бавно, тъй като е базирано на NAND памет с архитектура с четири масива.  

Броят на масивите се отнася до броя на отделно работещите полета с данни – колкото повече са, толкова по-бърза е паметта, поясняват от компанията. 

Новите модули за съхранение на Micron са напълно съвместими със спецификацията UFS 4.0 и използват две ленти от ниско ниво на протокола M-PHY Gear 5 за пренос на данни. В допълнение, те поддържат собствени функции на контролера като разделяне на потока от данни, автоматично четене Burst за подобряване на производителността и мониторинг за цялост на сигнала. 

В допълнение към по-високата производителност, модулите Micron UFS 4.0 са с 25% по-енергийно ефективни. Използването на 232-слойни 3D TLC NAND чипове с голям капацитет също позволява на Micron да направи своите UFS 4.0 модули доста тънки. Дебелината им не надвишава 0,8-0,9 мм, което ще позволи на производителите на мобилни устройства или да направят продуктите си по-тънки, или да инсталират по-голяма батерия. 

В момента Micron тества своите UFS 4.0 устройства с водещи производители на смартфони и планира да започне масово производство през втората половина на годината.