IBM ще разкрие подробности за новите си графенови чипове по време на форум в началото на декември във Вашингтон. На International Electron Device Meeting компанията ще представи технологичен процес, близък до този, който се използва в производството на силициеви CMOS чипове.
Графенът представлява решетка от въглеродни атоми с дебелина един атом и 40 пъти по-висока плътност от тази на силициевите чипове. На пътя на този материал обаче стоят сериозни технологични проблеми.
До момента изследователите са създали само отделни прибори и прости интегрални схеми. Но IBM вече е готова за серийно производство с използване на 200-мм графенови пластини и технологичен процес, съвместим с CMOS, съобщи eetimes.com.
Превъзходните електрически качества правят графена инертен, което затруднява формирането на слоеве върху него, в частност нанасянето на диелектрик, който изолира транзисторния гейт.
За да решат този проблем, учените са тръгнали по обратния път – първо са формирали необходимите структури на силициева пластина и върху нея са нанесени графенови слоеве с помощта на вакуум. След това към графеновия слой са свързани контактите, които играят ролята на сорс и дрейн, като така е създаден пълноценен транзистор.
Новият чип на IBM, който ще бъде показан през декември, представлява радиочестотен удвоител, работещ на честота 2 GHz.
1 коментар
Чиповете произведени с помощта на графен ще имат срок на годност в зависимост от степента на натоварване. Тоест ще се разрушават връзките с останалите компоненти в чипа след определен период от време. Затова толкова бързат с тази технология. Този материал ще направи потребителската електроника еднодневка.