Тайванският технологичен институт ITRI завърши разработката на резистивна памет с произволен достъп (RRAM), считана за алтернатива на флаш паметта.
RRAM може да се произвежда по по-тънък технологичен процес, отколкото NAND флаш, отличава се с високо бързодействие и ниско енергийно потребление, съобщи digitimes.com.
Серийното производство на новата памет е усвоено успешно с използване на 200-милиметрови пластини и 30-нанометров технологичен процес. Очаква се RRAM скоро да бъде комерсиализирана.
При флаш паметите от типа NAND се използва технология с плаващ гейт, която има сериозни ограничения при преминаване към процес, по-малък от 20 нанометра. Ето защо производителите търсят алтернатива на NAND паметта. RRAM е едно от възможните решения на проблема.
