Специалисти от белгийския институт IMC създадоха клетка резистивна памет с произволен достъп (RRAM) с размери само 10х10 нм. Новата разработка беше показана по време на срещата IEEE International Electron Devices Meeting.
Това е най-малката RRAM клетка към момента, твърдят учените. Според тях, подобно достижение показва, че RRAM паметта може да замени флаш паметите от тип NAND.
Повечето специалисти са на мнение, че флаш паметите скоро ще достигнат своя предел на намаляване на размерите, тъй като принципът им на работа се основава на съхраняване на заряди.
За разлика от флаша, RRAM паметите използват превключване на участъци от материала между две стабилни състояния и затова се считат за по-перспективна алтернатива. Изследователите от IMEC са използвали като материал слоеве от хафний и хафниев оксид, разположени между електроди от титанов нитрид.
Новата RRAM клетка издържа над милиард цикъла на презапис, работи на напрежение по-ниско от 3 волта и превключва за наносекунда, като изразходва около 0,1 пикоджаула енергия. Може да съхранява информация в продължение на 10 години при температура 100°С.
2 коментара
Странно как не са оповестили, че технологията ще излезе на пазара след 10-15 години, както обикновенно става с революционните идеи…
лидница!