Карта за графична памет, която ускорява с две-трети трансфера на данни, показа Samsung. Произведена по 80-нанометров процес, картата 4Gb/s GDR4 работи на 2.0GHz и е със 66% по-бърза от сегашните комерсиални решения, вкл. и тези на Samsung, съобщава theregister.com.
Новата графична памет с плътност 512Mb използва 32-битова шина за данни и JEDEC стандарт за намаляване на шума на сигнала. В момента са достъпни тестови образци на паметта, като тя вече е заинтересувала производителите на графични процесорни блокове. Според Samsung, новата памет ще ускори значително приложения като игри, проектиране и видео редактиране.
Миналия месец пък Samsung обеща, че ще започне масово производство на първите 50-нанометрови 16Gb NAND флаш чипове през настоящото тримесечие. Те използват дизайн с клетки на няколко нива, който позволява да се увеличи капацитета на паметта в даден размер. Освен това новият чип удвоява размера на страницата до 4KB, за да премества повече данни за секунда.
