Учени от университета на щата Тексас разработиха методика за създаване на полеви (униполярни) транзистори от силицен при стайна температура. Силиценът е нов материал – двумерно алотропно съединение на силиция, който се разглежда като алтернатива на графена, тъй като е по-удобен за използване и производство.
На този етап транзисторът от силицен може да съществува само няколко минути, но в случая е важна самата принципна възможност за формиране на необходимите структури, отбелязва сп. Nature.
Графенът, с който са свързани надеждите за по-нататъшно развитие на електрониката, има един голям недостатък – не се вписва в съществуващите технологии за полупроводниково производство. Ето защо учените започнаха да експериментират с други материали, състоящи се от един слой атоми, а точно такъв е силиценът.
Досегашните изследвания показват, че силиценът може да служи като отличен материал за направата на полеви транзистори. Той е потенциално съвместим със съществуващите технологии за полупроводниково производство на базата на силиций, има малка окисляемост и е по-гъвкав в сравнени с графена.
4 коментара
Иван и след като го разучиш, то считаш ли някъде на публично място в Интернет го обсъждаш? Аз от физика не разбирам – специализирал съм в друга област.
@George, Благодаря много!
Специализирал съм физика и електроника и ще намеря начин за пълен достъп до публикуваните трудове.
@Иван, тематиката е, че материята е изключително неразбираема за масовата аудитория. Отделно подобни трудове не са общодостъпни.
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2015.10.html
http://www.nature.com/nnano/journal/vaop/ncurrent/full/nnano.2014.325.html
Много интересна новина ще е добре да има и цитат към източника.