IBM Research съобщи за пробив в транзисторите от въглеродни нанотръби. Изследователи на ИТ корпорацията са успели за намалят размерите на електродите, без да губят производителност, което може да ускори замяната на силициевите транзистори с транзистори на базата на нанотръби.
Нано-пробивът прокарва пътя за създаване на значително по-производителни и миниатюрни компютърни чипове, които се произвеждат по традиционната полупроводникова технология.
Умаляването на транзисторите е за сметка на намаляване на размерите на двата електрода и канала между тях. При това обаче нараства съпротивлението на електродите, което възпрепятства по-нататъшното им умаляване.
Твърди се, че благодарение на технологичния пробив, ще станат възможни контакти с размери 1,8 нм, т.е. четири поколения напред.
Първите разработки на транзистори от въглеродни нанотръби датират от 2002 г. В началото на 2012 г. учени от IBM създадоха подобен транзистор с размери 9 нм, който превъзхожда силициевите транзистори със съпоставим размер.
Последното достижение на изследователите от IBM Research отстранява още едно препятствие по пътя към използване на нанотръби в серийното производство на чипове.
1 коментар
Ура! Ще чакаме още години закона на Мур да удари дъното, за да си купим компютър, който няма да е остарял след 18 месеца. Само отлагат неизбежното.