Инженери от Intel работят по вграждане на DRAM паметта в самия процесор, съобщава TG Daily. Така специалистите се надяват да постигнат максимално натоварване на основния чип в компютрите, като практически премахнат закъснението в обмена на данни между процесора и паметта.
Новата технология беше представена на наскоро провелия се форум Research@Intel Day. Разработчиците от Intel са успели да намалят размера на DRAM клетката до два транзистора и напълно да елиминират кондензаторите. Това достижение би позволило замяна на скъпата и сложна буферна SRAM памет в процесора с DRAM.
Предимства на SRAM са по-малката консумация и високата честота. Този тип памет обаче е значително по-скъпа от DRAM, а всяка нейна клетка се състои от 6 транзистора, което е сериозна пречка за вграждане на голям обем кеш памет в процесора.
Ако Intel успее да увеличи честотата на вградената DRAM памет до тази на процесорите Core 2 QX9770/9775, то би постигнал десетократно по-висока пропускателна способност спрямо сегашните решения с кеш памет от второ ниво.
Гигантът планира да включи DRAM в процесора с кодово име Terascale, който ще наследи архитектурите Larrabee и Itanium и ще съдържа голям брой x86 ядра.
