Intel алармира за спекулации с нанометрите

Висш мениджър на Intel предложи на индустрията да измерва по нов начин технологичните норми при производството на чипове. Според Марк Бор, старши изследовател в Intel, някои компании спекулират с намаляването на нанометрите, стана ясно на конференцията 2017 Manufacturing Day.

Доскоро, със всеки следващ по-тънък технологичен процес се удвояваше степента на интеграция или плътността на чиповете – на силициев кристал със същата площ се поместваха двойно повече транзистори. Така беше при прехода от 90 към 64 нанометра, а след това – от 45 на 32 нм.

В последно време, според Марк Бор, става все по-трудно по-нататъшното намаляване на размерите. Някои компании се отказаха от досегашното правило и използват все по-малки числа за своите технологични процеси без да повишават плътността на чиповете. В резултат на това, декларираните стойности не дават представа за реалните възможности на технологичния процес и неговото положение в графиката, съответстваща на Закона на Мур.

За да внесе яснота, Intel предлага възможностите на технологичния процес да се определят по формула, в която влизат размерите на типови блокове – проста клетка NAND и по-сложен тригер – и броят на транзисторите в тях. Относителното разпределение между по-простите и по-сложни елементи се отразява с тегловни коефициенти.

Ако всеки производител публикува стойности, получени по тази формула, за един или друг технологичен процес, това ще позволи да бъдат сравнявани обективно различните процеси. Компаниите, които се занимават с реверсивен инженеринг, ще могат лесно да проверят заявените стойности.

Още един градивен елемент на чиповете се явяват клетките SRAM. Тяхното наличие може да повлияе съществено върху степента на интеграция, определяна като общ брой транзистори на единица площ силиций. Като се има предвид, че в различните чипове броят на клетките SRAM и логическите блокове се различават съществено, следва размерите на SRAM да се посочват отделно.