Корейският производител SK Hynix пусна първата на пазара флаш памет 4D NAND. Това е 96-слойна TLC памет, която използва технологии CTF (Charge Trap Flash) и PUC (Peri. Under Cell) и има плътност 512 гигабита.
Наименованието 4D NAND отразява добавянето на още един слой към досегашната 3D структура на флаш паметите. SK Hynix не е иноватор в използването CTF технология вместо „плаващ гейт“, но компанията за първи път в индустрията обединява CTF и PUC технологии в един продукт.
Заедно с увеличения брой слоеве с клетки, съчетанието на двете технологии позволява намаляване на размера на кристала с над 30%, а броят на чиповете на пластината – с 49%, в сравнение със 72-слойния кристал на 3D NAND със същата плътност.
Освен това скоростта на запис е повишена с 30%, а на четене – с 25%. Пропускателната способност на входно-изходните линии достига 1200 Mbps (на линия) при захранващо напрежение 1,2 волта.
SK Hynix планира да започне серийно производство новите памети до края на годината. В същия срок компанията се надява да пусне SSD с капацитет 1TB, в който ще използва контролер и софтуер собствена разработка.
