Intel е готова да пусне на пазара напълно нов продукт – модули оперативна памет MRAM, след като по-рано предложи друга иновация в областта на сториджа – устройствата за съхранение Optane.
Гигантът от Санта Клара, Калифорния, подготвя серийното производство на чипове памет MRAM, твърди EETimes. Това е нов тип магниторезистивна оперативна памет, която има потенциал да замени сегашните DRAM и NAND чипове.
Intel планира да произвежда MRAM по 22-нанометров технологичен процес. Компанията нарича новия си продукт STT-MRAM. Технологията позволява съхранение на данните в продължение на 10 години при температура до 200 градуса по Целзий и при над 1 млн. цикъла на превключване.
Все още обаче Intel не може да произвежда чипове MRAM с голям капацитет. В момента са разработени масиви с обем 7 мегабита, като първоначално подобна памет ще се използва в IoT устройства.
Друг от водещите чипмейкъри, Globalfoundries, предлага MRAM от 2017 година, но не е известно дали компанията има клиент, който реално използва такава памет в устройствата си.
